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內(nèi)存儲(chǔ)器ram什么數(shù)據(jù)

隨機(jī)存儲(chǔ)器(RandomAccessMemory)是一種可以隨機(jī)讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，也稱(chēng)為讀∕寫(xiě)存儲(chǔ)器。RAM有以下兩個(gè)特點(diǎn)。1、是可以讀出，也可以寫(xiě)入。讀出時(shí)并不損壞原來(lái)存儲(chǔ)的內(nèi)容，只有寫(xiě)入時(shí)才修改原來(lái)所存儲(chǔ)的內(nèi)容。2、是RAM只能用于暫時(shí)存放信息，一旦斷電，存儲(chǔ)內(nèi)容立即消失，即具有易失性。RAM通常由MOS型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器組成，根據(jù)其保存數(shù)據(jù)的機(jī)理又可分為動(dòng)態(tài)(DynamicRAM)和靜態(tài)(StaticRAM)兩大類(lèi)。DRAM的特點(diǎn)是集成度高，主要用于大容量?jī)?nèi)存儲(chǔ)器；SRAM的特點(diǎn)是存取速度快，主要用于高速緩沖存儲(chǔ)器。

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導(dǎo)讀隨機(jī)存儲(chǔ)器(RandomAccessMemory)是一種可以隨機(jī)讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，也稱(chēng)為讀∕寫(xiě)存儲(chǔ)器。RAM有以下兩個(gè)特點(diǎn)。1、是可以讀出，也可以寫(xiě)入。讀出時(shí)并不損壞原來(lái)存儲(chǔ)的內(nèi)容，只有寫(xiě)入時(shí)才修改原來(lái)所存儲(chǔ)的內(nèi)容。2、是RAM只能用于暫時(shí)存放信息，一旦斷電，存儲(chǔ)內(nèi)容立即消失，即具有易失性。RAM通常由MOS型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器組成，根據(jù)其保存數(shù)據(jù)的機(jī)理又可分為動(dòng)態(tài)(DynamicRAM)和靜態(tài)(StaticRAM)兩大類(lèi)。DRAM的特點(diǎn)是集成度高，主要用于大容量?jī)?nèi)存儲(chǔ)器；SRAM的特點(diǎn)是存取速度快，主要用于高速緩沖存儲(chǔ)器。

隨機(jī)存儲(chǔ)器(RandomAccessMemory)是一種可以隨機(jī)讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，也稱(chēng)為讀∕寫(xiě)存儲(chǔ)器。

RAM有以下兩個(gè)特點(diǎn):

1、是可以讀出，也可以寫(xiě)入。讀出時(shí)并不損壞原來(lái)存儲(chǔ)的內(nèi)容，只有寫(xiě)入時(shí)才修改原來(lái)所存儲(chǔ)的內(nèi)容。

2、是RAM只能用于暫時(shí)存放信息，一旦斷電，存儲(chǔ)內(nèi)容立即消失，即具有易失性。

RAM通常由MOS型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器組成，根據(jù)其保存數(shù)據(jù)的機(jī)理又可分為動(dòng)態(tài)(DynamicRAM)和靜態(tài)(StaticRAM)兩大類(lèi)。DRAM的特點(diǎn)是集成度高，主要用于大容量?jī)?nèi)存儲(chǔ)器;SRAM的特點(diǎn)是存取速度快，主要用于高速緩沖存儲(chǔ)器。