雜質半導體分為哪兩種

1、雜質半導體按導體電流類型分為百電子型半導體和空穴型半導體

2、N型半導體，以電子為多數載流子的半導材料，n為negative(負)之意。

n型半導體是通過引入施主型雜質而形成的。在純半導體材料中摻入雜質，使禁帶中出現雜質能級，若雜質原子能給出電子的，其能級為度施主能級，該半導體為n型半導體。如將V族元素砷雜質加入到IV族半導體硅中。它能改變半導體的導電率和導電類型。對n型半導體，電子激發進入導帶成為主要載流子。例如，內摻入第15(VA)族元素(磷、砷、銻、鉍等)的硅與鍺。也有某些固體總是n型的，如ZnO，TiO，V2O5和MoO3等。

P型半導體，也稱為空穴型半導體。

P型半導體即空穴濃度遠大于自由電子濃度的雜質半導體。是在純凈的硅晶體中摻入三價元素（容如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強